在電路設計中，常常會用到電晶體，在電晶體的選用時，要如何設定參數?
又該如何挑選電晶體?
電晶體的包裝種類這麼多，又該如何挑選?
I.電晶體的幾個參數
| 名稱 | 說明 |
| Vcb | C-B極間電壓 Collector-base voltage |
| Vce | C-E極間電壓 Collector-emitter voltage |
| Veb | E-B極間電壓 Emitter-base voltage |
| Ic | C極電流 Collector current |
| Ib | B極電流 Base current |
| Pc | 消耗功率 Collector power dissipation |
| Tj | 介面溫度 Junction temperature |
| Tstg | 工作溫度範圍 Storage temperature range |
| hfe | 直流增益(放大) DC current gain |
II.關於這些參數的說明
在電晶體的應用中，需參考spec內的最大額定值(Absolute Maximum Ratings)
例如2SC2383中所列出的
在挑選電晶體規格時，則可參照上述的參數進行挑選，
例如電路工作時，Vce、Vcb最大電壓為何?該電晶體是否可以承受?
Ic最大工作電流是否滿足電路需求 ?
Pc所能承受的瓦數是否滿足需求?
工作環境溫度是否會超過電晶體所能承受的範圍?
綜合以上所說，是基本的電晶體挑選的主要參數
III.關於一些基本的計算
V.其他說明
在其他地方可以找到許多關於電晶體的說明、計算以及應用範例，
電晶體實際在電路板上運作時除了考慮到耐受性規格外（如耐壓、耐電流），
更要注意其所消耗功率大小的問題，一般在做小信號放大時，或一些簡單的數位電路應用
多半比較沒有消耗功率的問題，但是一但是用來做一些大功率的放大、控制時，
此時就必須嚴謹的考慮其散熱的問題，當電晶體開始發熱產生熱失控時
會使直流增益增加(hfe)，進而使的Ic電流更加的被放大，產生一種熱的惡性循環
（Pd = Vce * Ic, Ic = Ib*hfe，故hfe越大時，則能更放大Ic電流，以至於造成Pd變大)
一但真的發生熱失控時，則會持續到電晶體燒毀為止。（關於維基百科中的熱失控）
至於電晶體的包裝種類如何挑選？多半當確定電晶體的工作功率時，就已經選定了包裝
當功率越大時，損失越大，所散出的熱也越大，就必須有更多質量傳導這些熱量
相對的大包裝的電晶體功率相較於小包裝的來說，都會大很多
常見的包裝種類可參考 > MOSPEC網站