EPROM,EEPROM,FLASH

為什麼要說這個?只因為今天有人講錯了...

1.引述維基百科對ROM的解釋

{唯讀記憶體Read-Only Memory,ROM)是一種半導體記憶體,其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除,且內容不會因為電源關閉而消失。在電子電腦系統中,通常用以儲存不需經常變更的程式或資料,例如早期的家用電腦如 Apple II 的監督程式 [1] 、 BASIC 語言直譯器、與硬體點陣字型,個人電腦 IBM PC/XT/AT 的 BIOS(基本輸出入系統) [2] 與 IBM PC/XT 的 BASIC 直譯器,與其他各種微電腦系統中的韌體(Firmware),均儲存在 ROM 內。}

ROM只能在生產過程中寫入資料,且資料寫入之後就不再具有更改性

2.引述維基百科對於PROM的解釋

{可程式唯讀記憶體(Programmable ROM,PROM)其內部有行列式的鎔絲,可依使用者(廠商)的需要,利用電流將其燒斷,以寫入所需的資料及程式,鎔絲一經燒斷便無法再恢復,亦即資料無法再更改。}

PROM只允許寫入一次,其性質與ROM相同

3.引述維基百科對於EPROM的解釋

{可抹除可編程唯讀記憶體(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)可利用高電壓將資料編程寫入,但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間,資料始可被清空,再供重複使用。因此,在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所製的透明窗以便進行紫外線曝光。寫入程式後通常會用貼紙遮蓋透明窗,以防日久不慎曝光過量影響資料。}

EPROM可使用一定電壓將資料寫入,並可透過紫外線光清除內部資料,可達重複使用

4.引述維基百科對於OTPROM的解釋

{一次編程唯讀記憶體(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)內部所用的晶片與寫入原理同EPROM,但是為了節省成本,封裝上不設置透明窗,因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。}

燒入方式與EPROM相同但因無至頂天窗,所以無法清除資料

5.引述維基百科對於EEPROM的解釋

{EEPROM,或稱E2PROM,全稱「電子抹除式可複寫唯讀記憶體Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)」。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外線照射,也不需取下,就可以用特定的電壓,來抹除晶片上的資訊,以便寫入新的數據

EEPROM有四種工作模式:讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時,晶片只需要Vcc低電壓(一般+5V)供電。編程寫入時,晶片通過Vpp(一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V)獲得編程電壓,並通過PGM編程脈衝(一般50ms)寫入數據。擦拭時,只需使用Vpp高電壓,不需要紫外線,便可以擦拭指定位址的內容。為保證寫入正確,在每寫入一塊數據後,都需要進行類似於讀取的校驗步驟,若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓,且寫入時間也已有縮短。

由於EEPROM的優秀性能,以及在線上操作的便利,它被廣泛用於需要經常擦拭的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片,並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片,甚至取代部份的硬碟功能(見SSD)。它與高速RAM成為當前(21世紀00年代)最常用且發展最快的兩種儲存技術。

他可以直接利用電氣訊號來更新程式,所以比EPROM更方便。}

EEPROM一般可存取的資料最小單位為Byte,且可重複存取

6.引述維基百科對於Flash的解釋

{快閃記憶體英文Flash Memory),中國大陸簡稱為閃存,是一種電子清除式可程式唯讀記憶體的形式,允許在操作中被多次擦或寫的記憶體。這種科技主要用於一般性資料儲存,以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料,如記憶卡隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除掉就會清除掉整顆晶片上的資料。

快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低,也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA, 筆記型電腦, 數位隨身聽, 數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外,快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加,藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM

快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言, 它是不需要消耗電力的。此外快閃記憶體也具有相當低的讀取延遲(雖然沒有電腦主記憶體的DRAM那麼快)。與硬碟相比,快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性:當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。

雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM,但是 「EEPROM」 這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。 因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢,相形之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。}

Flash速度較優異於EEPROM,但在抹除時區一次抹除固定大小之區塊

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